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烧结温度对合成Ti3SiC2材料的影响及反应机理的研究

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【作者】 王超吕振林周永欣王玲玲

【Author】 WANG Chao,Lu Zhen-lin,ZHOU Yong-xin,WANG Ling-ling (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048,China)

【机构】 西安理工大学材料科学与工程学院

【摘要】 以Ti/Si/C为原料,采用反应烧结方法制备Ti3SiC2材料,并分析反应烧结机理。结果表明,以3Ti/1.2Si/2C为起始原料,烧结温度在1250~1300℃之间,可以得到Ti3SiC2含量90%以上的Ti3SiC2材料。Ti3SiC2的反应合成机理是固-液反应,即:Ti5Si3和β-Ti形成液相,液相再与TiC反应,进而合成Ti3SiC2。

【基金】 陕西省自然科学基金资助(编号:2007E104)
【所属期刊栏目】 试验研究 (2008年04期)
  • 【DOI】10.14024/j.cnki.1004-244x.2008.04.021
  • 【分类号】TF124.5
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】186
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