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硫化和硒化对Cu/Sn/ZnS预置层薄膜结构和性能的影响

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【作者】 孙亚明薛晓晶王志群王嘉欣华中

【Author】 SUN Yaming;XUE Xiaojing;WANG Zhiqun;WANG Jiaxin;HUA Zhong;National Demonstration Center for Experimental Physics Education,Jilin Normal University;State Grid Economic Research Institute of East Inner Mongolia Electric Power Company Limited;

【通讯作者】 华中;

【机构】 吉林师范大学物理国家级实验教学示范中心国网内蒙古东部电力有限公司经济技术研究院

【摘要】 采用磁控溅射法沉积Cu/Sn/ZnS预置层薄膜,经硫化和硒化热处理制备Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4薄膜,研究两种热处理方式对薄膜的结构、形貌及性能的影响。结果表明:硫化和硒化热处理制备的Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4薄膜均为单一锌黄锡矿结构;两种薄膜表面及横截面的颗粒致密且均匀,硒化后薄膜的颗粒尺寸和横截面的附着力均优于硫化后的;预置层经硫化及硒化热处理后薄膜的带隙分别为1.58、1.43 e V,硒化后薄膜的带隙明显小于硫化后的。

【关键词】 磁控溅射硫化硒化薄膜
【基金】 吉林师范大学博士科研启动项目(2015016)
【所属期刊栏目】 试验研究 (2018年05期)
  • 【DOI】10.14024/j.cnki.1004-244x.20180828.004
  • 【分类号】TB383.2
  • 【下载频次】61
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