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MEMS中硅各向异性腐蚀特性研究

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【作者】 刘伟伟吕菲常耀辉李聪宋晶

【Author】 LIU Weiwei;LV Fei;CHANG Yaohui;LI Cong;SONG Jing;The 46~(th) Research Institute of CETC;

【机构】 中国电子科技集团公司第四十六研究所

【摘要】 在碱性溶液中硅单晶片因晶向不同其刻蚀速率出现差异,利用这一特点制作三维结构器件;刻蚀速率与三维结构的形状和精度相关,刻蚀的表面粗糙度与器件的性能有关;根据各向异性腐蚀机理可知,刻蚀速率强烈依赖单晶晶向,刻蚀温度和刻蚀液的组分也会对刻蚀速率产生显著影响;表面粗糙度主要是因为刻蚀时表面被反应生成的氢气泡覆盖,局部区域不能参加化学反应,导致这一区域出现凸起;在刻蚀液中加入添加剂使气泡迅速脱离反应表面能有效降低表面粗糙度,但刻蚀液不同所适用的添加剂不同。

【所属期刊栏目】 IC制造工艺与设备 (2018年04期)
  • 【分类号】TN305.2
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