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Si衬底GaN外延生长的应力调控

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【作者】 巩小亮陈峰武罗才旺鲍苹魏唯彭立波程文进

【Author】 GONG Xiaoliang;CHEN Fengwu;LUO Caiwang;BAO Ping;WEI Wei;PENG Libo;CHENG Wenjin;The 48~(th) Research Institute of CETC;

【机构】 中国电子科技集团公司第四十八研究所

【摘要】 针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si(111)衬底上制备了100 mm(4英寸)无裂纹GaN外延材料。试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层可以起到良好的应力调控效果,无裂纹GaN层生长厚度达到1.6μm,晶体质量良好,表面粗糙度低于2 nm;HEMT结构外延片电学性能测试结果表明Si衬底GaN的生长质量满足制备器件的要求。

【所属期刊栏目】 材料制造工艺与设备 (2018年04期)
  • 【分类号】TN304.054
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】80
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