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基于分子模拟的苯并三氮唑与Irgamet39缓蚀性能研究

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【作者】 刘志鹏李亚莎刘国成徐程沈书林

【Author】 LIU Zhi-peng;LI Ya-sha;LIU Guo-cheng;XU Cheng;SHEN Shu-lin;College of Electrical and New Energy,China Three Gorges University;

【通讯作者】 李亚莎;

【机构】 三峡大学电气与新能源学院

【摘要】 苯并三氮唑(BTA)及其衍生物Irgamet39都能在铜绕组表面形成保护膜抑制硫腐蚀,但缓蚀性能却有差异.为探究两者缓蚀性能的差异性,采用分子模拟方法从微观层面对2种缓蚀剂的缓蚀性能进行对比研究.通过计算比较Cu(100),Cu(110)和Cu(111)晶面功函数的大小,选取Cu(110)晶面为研究表面.分析了在2种缓蚀剂吸附情况下Cu(110)表面的态密度变化,发现在费米能级附近,Irgamet39吸附时Cu表面的电子密度较BTA吸附时大,说明此时Cu表面的活性更大.同时比较和计算了2种缓蚀剂分子前线轨道分布以及最高占据轨道和最低空轨道能量差,并且分析了BTA与Irgamet39的电负性.结果表明,Iragmet39分子有多重吸附中心且前线轨道能量差更小,更容易与铜表面发生反应;Irgamet39分子的电负性小于BTA分子,电子易流向铜,更容易与铜形成配位键.以上模拟结果说明在清洁Cu表面,Irgamet39的缓蚀效果更好.

【关键词】 铜缓蚀剂腐蚀性硫变压器分子模拟
【基金】 国家自然科学基金资助项目(51577105)
【所属期刊栏目】 研究论文 (2018年06期)
  • 【DOI】10.13563/j.cnki.jmolsci.2018.06.006
  • 【分类号】TG174.42
  • 【下载频次】73
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