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K-V分布强流离子束包络的外部磁场自适应控制

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【作者】 高远蔡启仲

【Author】 GAO Yuan,GAI Qi-zhong (Dept.of Electronic Information and Control Engineering,Guangxi University of Technology ,Liuzhou545006, China)

【机构】 广西工学院电子信息与控制工程系广西工学院电子信息与控制工程系 广西柳州 545006广西柳州 545006

【摘要】 从K-V(Kapchinskij-Vladimiskij)分布强流离子束的束包络混沌演化方程出发,推导出周期性聚焦磁场参数的自适应变化方程,提出实现稳定束包络的外部磁场自适应控制方法。模拟结果表明,该控制方法能有效控制束包络的混沌演化,且混沌变化的束包络半径能被控制在匹配半径(控制目标)。该方法为进一步在多粒子模型中,研究强流离子束中束晕-混沌现象的控制问题提供了方法借鉴。

【关键词】 强流束混沌控制自适应控制
【基金】 广西工学院科学研究基金资助项目(No.030108)。
  • 【DOI】10.16375/j.cnki.cn45-1395/t.2003.04.005
  • 【分类号】O572.2
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】29
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