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垂直Bridgman生长晶体界面的监测研究

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【作者】 张韶华黄为民

【Author】 ZHANG Shao-hua, HUANG Wei-min (Power college,Shanghai University of Science and Technology,Shanghai, 200093,China)

【机构】 上海理工大学动力学院上海理工大学动力学院 上海 200093上海 200093

【摘要】 单晶半导体材料的垂直生长都使用了Bridgman法。在晶体生长过程中对固液界面的位置和形状进行监测虽十分重要却相当困难。该文探讨了根据许多半导体材料的电导率在固态与液态时相差很大这一特性来监测碲化镉晶体生长的涡电流技术的可行性,并在此基础上提出了一种新的描述晶体界面位置变化的冷态模拟方法,并经实验证实该方法可成功地描述晶体界面的位置及形状的变化。

【关键词】 碲化镉涡电流Bridgman
【基金】 国家自然科学基金资助项目(批准号:50276036).
  • 【DOI】10.16375/j.cnki.cn45-1395/t.2004.04.002
  • 【分类号】O78
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】92
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