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太阳能级硅粉在等离子体中纯化研究

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【作者】 陈政强王敬义陶甫廷

【Author】 CHEN Zheng-qiang~1,WANG Jing-yi~2,TAO Fu-ting~1(1.Guangxi University of Technology,Liuzhou 545006,China;2.Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China)

【机构】 广西工学院电子信息与控制工程系华中科技大学电子科学与技术系广西工学院电子信息与控制工程系 广西柳州545006湖北武汉430074广西柳州545006

【摘要】 给出了本研究中所采用工业硅的要求和太阳电池功率高达14%的P型硅材料中单一杂质的阀值。针对太阳能级硅的纯化要求和工业硅的特性,提出了等离子体对硅粒“刻蚀提纯”的新概念。增加鞘层厚度将使硅粉浸泡于高动能离子中的几率增加,钝化效应消失从而达到提高纯化速率的目的。所研制的新型纯化系统能够满足硅粒自旋、长沉降时间和重复纯化的条件,所给出的工艺参数能满足鞘层宽、离子浓度高的要求。实验结果显示这种新的提纯方法可望用于太阳能级硅的制备。

【基金】 国家自然科学基金资助项目(10265002)
  • 【DOI】10.16375/j.cnki.cn45-1395/t.2006.02.001
  • 【分类号】TM914.4
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】200
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