节点文献

铟对Bi2Te3光电性质的影响

免费订阅

【作者】 何卫中方志杰

【Author】 HE Wei-zhong;FANG Zhi-jie;College of Science,Guangxi University of Science and Technology;

【机构】 广西科技大学理学院

【摘要】 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软势法,对InxBi2-xTe3晶体的电子结构进行了模拟计算.系统分析了形成能、能带结构、电子态密度以及复介电函数.计算结果表明:在In的比例x小于0.4的范围内,InxBi2-xTe3仍属于半导体材料,但从直接能隙变为间接能隙,能隙宽度也随着In增加而减小.

【基金】 国家自然科学基金(11147195);广西理工实验中心经费(LGZXKF201204)资助
  • 【DOI】10.16375/j.cnki.cn45-1395/t.2013.03.003
  • 【分类号】O469
  • 【下载频次】41
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

浏览历史:
下载历史: