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三维功率MOSFET器件的热可靠性设计

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【作者】 林洁馨杨发顺马奎丁召傅兴华

【Author】 LIN Jiexin;YANG Fashun;MA Kui;DING Zhao;FU Xinghua;College of Big Data and Information Engineering,Guizhou University;

【机构】 贵州大学大数据与信息工程学院

【摘要】 基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100 V,60 A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。

【基金】 国家自然科学基金地区科学基金项目(61664004)~~
【所属期刊栏目】 电子与信息器件 (2019年12期)
  • 【DOI】10.16652/j.issn.1004-373x.2019.12.019
  • 【分类号】TN386
  • 【下载频次】14
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