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有序可控纳米银球阵列对a-SiN_x∶O薄膜光致发光增强的研究

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【作者】 徐奇峰张鑫鑫马忠元吴仰晴林泽文徐岭李伟陈坤基黄信凡徐骏冯端

【Author】 Xu Qifeng;Zhang Xinxin;Ma Zhongyuan;Wu Yangqing;Lin Zewen;Xu Ling;Li Wei;Chen Kunji;Huang Xinfan;Xu Jun;Feng Duan;School of Electronic Science and Engineering,Nanjing University;

【机构】 南京大学电子科学与工程学院

【摘要】 采用聚苯乙烯(PS)纳米小球自组装技术结合激光退火方法制备了三种不同尺寸纳米银球阵列,研究不同尺寸纳米银球阵列对非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜的光致发光的影响.首先,在p型硅衬底上铺有三种不同尺寸的聚苯乙烯(PS)纳米小球,再采用磁控溅射系统蒸镀银薄膜,然后用激光对该银薄膜进行处理.最后,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统在样品表面生长非晶掺氧氮化硅薄膜.实验结果表明,相比于未引入纳米银球阵列的a-SiN_x∶O薄膜,引入170nm、220nm和300nm银球阵列的a-SiN_x∶O薄膜,其光致发光强度(PL)分别增强4.6、3.1和1.3倍.样品的原子力显微镜(AFM)图像显示,纳米银颗粒呈周期性排列且尺寸可控.荧光光谱分析表明,随着纳米银球阵列尺寸的增加,薄膜的发光峰位出现了红移.通过分光光度计UV-3600对a-SiN_x∶O薄膜的消光谱进行了测量计算.为了进一步研究不同尺寸纳米银球阵列对非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜的光致发光的影响,对其消光谱和PL谱进行了对比分析.实验证实了a-SiN_x∶O薄膜光致发光的增强来自于金属银局域表面等离激元(LSP)与a-SiN_x∶O薄膜光发射之间的耦合.

【基金】 国家重点基础研究发展计划(2010CB934402);国家自然科学基金(61071008,61571221,61634003,11374153);高等学校博士学科点专项科研基金(20130091110024);江苏高校优势学科建设工程项目;江苏省六大人才高峰项目(DZXX-001)
【所属期刊栏目】 硅基纳电子和光电子专栏 (2017年03期)
  • 【DOI】10.13232/j.cnki.jnju.2017.03.001
  • 【分类号】TP181
  • 【下载频次】25
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