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大功率SiC-MOSFET模块驱动技术研究

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【作者】 周帅张小勇饶沛南张庆施洪亮

【Author】 ZHOU Shuai;ZHANG Xiaoyong;RAO Peinan;ZHANG Qing;SHI Hongliang;Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.;National Engineering Research Center of Converters;

【机构】 株洲中车时代电气股份有限公司变流技术国家工程研究中心

【摘要】 为适应SiC-MOSFET相比Si-IGBT具有更快的开关速度、更低的工作损耗,同时开通阈值电压较低、短路耐量较弱等特点,研究了与其匹配的驱动技术。主要对漏极电压有源钳位、电路桥臂串扰抑制、过流检测等若干SiC-MOSFET驱动技术进行研究,并基于三菱大功率SiC-MOSFET模块开发配套驱动进行测试。结果表明,该驱动所采用的镜像电流检测法能快速有效地对SiC-MOSFET模块进行过流检测与保护,同时漏极电压有源钳位能及时有效抑制大电流关断所产生的电压尖峰。

【所属期刊栏目】 研究开发 (2018年02期)
  • 【DOI】10.13890/j.issn.1000-128x.2018.02.006
  • 【分类号】TN386
  • 【下载频次】60
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