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基于大功率全SiC器件的变换器研究

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【作者】 张庆张小勇饶沛南施洪亮赵明锐周帅

【Author】 ZHANG Qing;ZHANG Xiaoyong;RAO Peinan;SHI Hongliang;ZHAO Mingrui;ZHOU Shuai;Technology Center, Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.;

【机构】 株洲中车时代电气股份有限公司技术中心

【摘要】 为了适应变流器产品高频化、高功率密度的发展趋势,研究了大功率全SiC MOSFET器件在变换器中的应用,讨论了全SiC MOSFET器件在应用中的杂散参数问题和桥臂串扰问题。通过双脉冲试验,重点研究了驱动电阻和吸收装置对大功率全SiC MOSFET器件关断尖峰电压的影响。结合实际产品研究了基于大功率SiCMOSFET器件在轨道交通Boost变换器中的应用。试验表明,相对于硅基IGBT器件,采用SiCMOSFET器件能给变换器带来轻量化、工作频率、效率的全方位提升。

【所属期刊栏目】 研究开发 (2018年06期)
  • 【DOI】10.13890/j.issn.1000-128x.2018.06.013
  • 【分类号】U264.3
  • 【下载频次】41
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