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Zn2+浓度对Zn:Ce:Cu:LiNbO3晶体缺陷结构的影响

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【作者】 王路平代丽韩县博邵瑀

【Author】 WANG Lu-ping;DAI Li;HAN Xian-bo;SHAO Yu;School of Material Science and Engineering , Harbin University of Science and Technology;School of Applied Sciences, Harbin University of Science and Technology;

【通讯作者】 代丽;

【机构】 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院哈尔滨理工大学理学院

【摘要】 采用单晶提拉法生长了不同Zn2+(1,3,5,7 mol%)离子浓度的Zn:Ce:Cu:LiNbO3单晶,为了研究Zn2+离子浓度对Zn:Ce:Cu:LiNbO3单晶缺陷结构的影响,采用光致散射光强阈值方法来测定晶体的抗光损伤能力,用电感耦合等离子原子发射光谱(ICP-AES)测试Zn:Ce:Cu:LiNbO3晶体中不同掺杂离子的有效分凝系数。试验结果表明:随着晶体中掺杂Zn2+离子浓度的增加,晶体的抗光损伤能力增强,Zn2+离子分凝系数随着晶体中Zn2+浓度增加呈现先升高后降低的趋势,在Zn2+浓度为5 mol%时达到最高点;Ce3+和Cu2+离子的分凝系数随着Zn2+离子浓度的增加逐渐降低,结合LiNbO3晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了相关实验结果。

【基金】 黑龙江省自然科学基金(QC2015061)
  • 【DOI】10.15938/j.jhust.2019.01.017
  • 【分类号】O77
  • 【下载频次】26
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