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摘要:In this work, two-dimensional MoS2 has been performed for nonvolatile memory application as charge storage layer. The capacitance-voltage(C-V) hysteresis and programming characteristics of MoS2-NVMs with blocking oxide layer of various thicknesses have been further investigated. The MoS2-NVMs with 9-nm-thck blocking oxide layer exhibits a large hysteresis in the C-V sweeping and the fastest speed in programming characteristics. In addition, both electrons and holes can store in MoS2 monolayer, contributing to a promising application in future high-performance NVMs.
会议名称:

2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)

会议时间:

2016-10-25

会议地点:

中国浙江杭州

  • 专辑:

    信息科技

  • 专题:

    计算机硬件技术

  • 分类号:

    TP333

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