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摘要:APartial Narrow Mesa(PNW)SJ IGBT structure is proposed in this paper.With a non-connected SJ implemented inthe PNW IGBT,the proposed structure combines the injection enhancement effectsfrom both PNW and SJ structure,which improvesthecarrier concentrationnear the cathode sideand reducesthe on-state voltage drop.Meanwhile, the implementationof theS J structure improvesthe blockingcapabilityat an equivalent device thickness and reduces the turn-off loss. Therefore,the proposed structure has a better Vce and Eofftrade-off. These advantages have beendemonstratedby 2-Dnumerical simulation.
会议名称:

The Second International Conference on Micro Nano Devices,Structure and Computing Systems(MNDSCS 2013)

会议时间:

2013-01-23

会议地点:

Shenzhen,China

  • 专辑:

    信息科技

  • 专题:

    无线电电子学

  • 分类号:

    TN322.8

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