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N~+离子束注入诱变选育生防菌枯草芽孢杆菌的研究

刘桂君孟佑婷杨素玲包放尚宏忠

北京市辐射中心微生物辐射育种实验室

摘要:[目的]研究N+离子束注入对生防菌枯草芽孢杆菌存活率和突变率的影响。[方法]对离子束注入前样品处理方法进行优化,包括枯草芽孢杆菌液体培养时间、稀释浓度、稀释溶剂和菌膜干燥时间;采用N+离子束注入进行诱变处理,并通过平板对峙法和牛津杯法筛选菌株。[结果]N+离子束注入样品前处理最佳条件为:枯草芽孢杆菌液体培养20~24 h,利用无菌水将菌液稀释到106个/ml,菌膜干燥时间为0~60 min;离子束注入诱变的最佳条件为:注入能量30 kev,剂量为2×1014~4×1014ions/cm2,枯草芽孢杆菌存活率为8.43%~26.71%,突变率为3.50%~5.43%。[结论]该研究结果为枯草芽孢杆菌离子束注入诱变育种方法的研究提供了参考依据,同时也为其他生防菌的辐射诱变育种奠定了基础。
  • DOI:

    10.13989/j.cnki.0517-6611.2012.25.079

  • 专辑:

    农业

  • 专题:

    植物保护

  • 分类号:

    S476

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