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非晶硅、微晶硅与多晶硅的转变及生长机理

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【作者】 林鸿溢

【机构】 北京工业学院

【摘要】 本文阐述了a-Si:H薄膜样品的制备条件和实验观测条件,通过动态观测获得了非晶硅、微晶硅与多晶硅之间的转变点参数,从微结构的观点对样品作了分类,对各种微结构作了统一的理论分析,提出了一种可能的生长机理。这些结果对非晶硅材料的深入了解及其应用是至关重要的。

  • 【DOI】10.14024/j.cnki.1004-244x.1987.04.007
  • 【被引频次】1
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