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双离子束辅助沉积TiN薄膜的微观结构及力学性能

向伟方仁昌李文治

中国工程物理研究院应用电子学研究所清华大学材料科学与工程系

摘要:采用双离子束辅助沉积技术制备了TiN 薄膜,并用XPS、XRD、SEM、TEM 和努氏显微硬度计等对薄膜进行了分析测试,结果表明,在溅射沉积的同时,N+ 离子的轰击使TiN薄膜主要沿(200)取向择优生长;离子的轰击也使TiN 薄膜的表面形貌发生显著的变化,随着轰击N+ 离子能量的增加,TiN 薄膜的晶粒增大。在盘铣刀片上沉积TiN 改性薄膜后,其使用寿命大大提高
  • DOI:

    10.14024/j.cnki.1004-244x.1999.06.008

  • 专辑:

    工程科技Ⅰ辑; 工程科技Ⅱ辑

  • 专题:

    金属学及金属工艺

  • 分类号:

    TG174.44

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