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氧化对反应烧结碳化硅陶瓷断裂强度的影响

黄清伟吕振林高积强金志浩

西安交通大学材料科学与工程学院

摘要:研究了在1300℃空气中的高温氧化对反应烧结碳化硅陶瓷室温断裂强度的影响。结果表明:反应烧结碳化硅陶瓷的室温断裂强度随氧化时间增加呈现出先升后降的变化趋势,当氧化225h时,材料的室温断裂强度最高,达334MPa。研究认为,试样表面非晶态SiO2的晶化以及氧化膜起裂是造成材料室温断裂强度变化的原因。
  • DOI:

    10.14024/j.cnki.1004-244x.2000.01.009

  • 专辑:

    理工B(化学化工冶金环境矿业); 理工C(机电航空交通水利建筑能源)

  • 专题:

    无机化工

  • 分类号:

    TQ174.758

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