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CVD生长SiC涂层工艺过程的正交分析研究

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【作者】 徐志淮李贺军

【Author】 Xu Zhihuai,Li Hejun

【机构】 西北工业大学C/C复合材料研究所

【摘要】 为了在C/C材料表面可靠地制备SiC抗氧化涂层 ,针对CVD工艺特点 ,采用正交设计方法对MTS +H2 体系制备SiC工艺过程进行了全面系统的研究 ,在对沉积过程现象进行观察分析的基础上 ,计算了 6种工艺因素对SiC -CVD过程影响的方差 ,对各自影响的显著性进行了分析 ,并讨论了所属的 2 1种工艺条件对沉积结果的影响。

【关键词】 碳/碳复合材料碳化硅涂层CVD正交设计
【基金】 国防科学基金;航空科学基金
  • 【DOI】10.14024/j.cnki.1004-244x.2000.05.011
  • 【分类号】TB33
  • 【被引频次】19
  • 【下载频次】300
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