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金属基电子封装材料进展

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【作者】 刘正春王志法姜国圣

【Author】 Liu Zhengchun, Wang Zhifa, Jiang Guosheng

【机构】 中南大学

【摘要】 对照几种传统的金属基电子封装材料 ,较详细地阐述了 W Cu、Mo Cu、Si C/ Al等新型封装材料的性能特点、制造方法、应用背景以及存在的问题。介绍了金属基电子封装材料的最新发展动态 ,指出国际上近年来的研究与开发主要集中在净成型技术、新材料体系探索以及材料的集成化应用等方面。最后 ,文章对金属基电子封装材料的发展趋势进行了展望 ,作者认为 ,未来的金属基电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发展

【关键词】 电子封装复合材料膨胀系数热导率
【基金】 国家高新工程重点资助项目
  • 【DOI】10.14024/j.cnki.1004-244x.2001.02.014
  • 【分类号】TB34
  • 【被引频次】173
  • 【下载频次】1790
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