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HFCVD法合成金刚石的初期生长过程

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【作者】 邱万奇刘正义

【Author】 QIU Wanqi, LIU Zhengyi Correspondent:QIU Wanqi,Dept.Mechano-electronic Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640,China

【机构】 华南理工大学机电工程系华南理工大学机电工程系 广州510640广州510640

【摘要】 用XL30FEG扫描电镜对热丝化学气相沉积 (HFCVD)法合成的金刚石颗粒的初期生长过程进行了研究。结果表明 ,金刚石在 p -Si(10 0 )基片上的初始形核密度很高 ,可达 10 10 /cm2 ;在随后的颗粒长大过程中 ,颗粒快速长大 ,颗粒密度急剧减少 ;颗粒的长大速率随其尺寸的增大而减小 ,最后趋于一稳定值

【关键词】 HFCVD金刚石形核生长速率
【基金】 广东省自然科学基金资助项目 ;批准号 :990 5 48;国家教委博士点基金资助项目 ;批准号 :19990 5 6 12 1
  • 【DOI】10.14024/j.cnki.1004-244x.2001.05.016
  • 【分类号】O484.1
  • 【下载频次】64
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