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Bi4Ti3O12薄膜及快速退火工艺的研究

苏学军李岩张金春

海军航空工程学院理化教研室海军航空工程学院电工教研室海军航空工程学院理化教研室 烟台264001

摘要:采用MOCVD工艺在Ts=4 4 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.4 4的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi4Ti3 O12 铁电薄膜 ,在Ts=4 0 0℃条件下制备组分Bi/Ti=1.11的非晶态薄膜 ,经过快速退火处理 ,制备高度择优取向的Bi2 Ti2 O7薄膜 ,较好的退火温度为 6 30℃、时间为 6 0s ;快速退火对薄膜组分的影响不大 ,在相同的退火温度下 ,生成 4 3相还是 2 2相取决于退火前薄膜材料的组分。
  • DOI:

    10.14024/j.cnki.1004-244x.2002.03.013

  • 专辑:

    理工B(化学化工冶金环境矿业); 理工C(机电航空交通水利建筑能源)

  • 专题:

    工业通用技术及设备

  • 分类号:

    TB43

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