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SiC陶瓷无压烧结工艺探讨

陈巍曹连忠张向军韩肃段关文

中国兵器科学研究院宁波分院中国兵器科学研究院宁波分院 浙江 宁波 315103

摘要:系统研究了不同温度无压烧结条件下,添加质量分数为2%C及不同B元素量对SiC的致密机制、微观结构 及力学性能的影响。结果表明,添加质量分数为2.0%C+1.0%B的SiC经2 150℃×2h无压烧结后的力学性能为最 优,其抗弯强度达470MPa,断裂韧性达5.12MPa·m1/2。
  • DOI:

    10.14024/j.cnki.1004-244x.2004.05.013

  • 专辑:

    工程科技Ⅰ辑; 工程科技Ⅱ辑

  • 专题:

    无机化工

  • 分类号:

    TQ174

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