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CVI法制备SiC_p/SiC复合材料的氧化性能研究

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【作者】 汤精明王小明乔生儒

【Author】 TANG Jing-ming1,2,WANG Xiao-ming2,QIAO Sheng-ru2(1.Anhui University of Technology and Science,Wuhu 241000,China; 2.Northwestern Polytechnical University,Xi’an 710072,China)

【机构】 安徽工程科技学院机械工程系西北工业大学材料学院西北工业大学材料学院 安徽芜湖241000陕西西安710072

【摘要】 对用CVI法制备的SiCp/SiC复合材料的氧化性能进行了研究。材料含有的气孔和破坏氧化膜连续性的杂质元素,为氧气扩散提供通道;氧化过程中形成的气孔,导致了新的自由表面的暴露和空气扩散通道,进而加剧氧化。在材料的高温氧化过程中,SiC的氧化生成SiO2膜导致试样质量增加,玻璃碳界面层的氧化生成CO的逸出导致试样质量损失。最后的质量变化是这两种综合作用的结果。在高温氧化过程中,材料的空隙增多,应力集中加强,界面层被破坏使SiCp/SiC复合材料的强度下降。

【基金】 国家自然科学基金重大研究计划项目(90405015)
  • 【分类号】TB332
  • 【下载频次】98
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