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磁控溅射制备Ti-Ni-Cu记忆薄膜与组织成分研究

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【作者】 卞铁荣卢正欣井晓天

【Author】 BIAN Tie-rong1,2,LU Zheng-xin2,JING Xiao-tian2 (1.Central Laboratory for Molecular Medicine, Affiliated Hospital of Luzhou Medical College,Luzhou 646000,China; 2.Materials Science and Engineering, Xi’an Universtiy of Technology,Xi’an 710000,China)

【机构】 泸州医学院附院医学分子生物学中心西安理工大学材料科学与工程学院西安理工大学材料科学与工程学院 四川泸州646000西安理工大学材料科学与工程学院陕西西安710000

【摘要】 优化直流磁控溅射Ti-Ni-Cu薄膜的制备工艺参数,研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律。采用SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析。结果表明,经650℃、0.5h退火,溅射态的非晶无序结构的Ti-Ni-Cu薄膜完全晶化,获得形状记忆效应。室温下基体组织为立方结构的B2相。溅射薄膜的厚度与时间几乎呈线性变化;而薄膜的沉积速率随着溅射功率的增大而升高,但溅射功率再增大则沉积速率降低;薄膜的成分随溅射功率、工作气压及时间的变化基本一致,不存在成分离散问题。

【关键词】 Ti-Ni-Cu薄膜磁控溅射非晶形状记忆
【所属期刊栏目】 试验研究 (2007年06期)
  • 【分类号】TB383.2
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