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烧结温度对合成Ti3SiC2材料的影响及反应机理的研究

王超吕振林周永欣王玲玲

西安理工大学材料科学与工程学院

摘要:以Ti/Si/C为原料,采用反应烧结方法制备Ti3SiC2材料,并分析反应烧结机理。结果表明,以3Ti/1.2Si/2C为起始原料,烧结温度在1250~1300℃之间,可以得到Ti3SiC2含量90%以上的Ti3SiC2材料。Ti3SiC2的反应合成机理是固-液反应,即:Ti5Si3和β-Ti形成液相,液相再与TiC反应,进而合成Ti3SiC2。
  • 专辑:

    理工B(化学化工冶金环境矿业); 理工C(机电航空交通水利建筑能源)

  • 专题:

    工业通用技术及设备; 冶金工业

  • 分类号:

    TF124.5

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