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掺杂及溅射功率对ZnO:Al薄膜结构与电性能的影响

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【作者】 任明放冯湘王华许积文

【Author】 REN Mingfang1,FENG Xiang2,WANG Hua1,XU Jiwen1(1.School of Material Science and Engineering,Key Laboratory of Information Materials of Guangxi,Guilin University of Electronic Technology,Guilin 541004,China;2.Department of Electromechanical Engineering,Zhengzhou Railway Vocational & Technical College,Zhengzhou 450052,China)

【机构】 桂林电子科技大学材料科学与工程学院广西信息材料重点实验室郑州铁路职业技术学院机电系

【摘要】 采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备ZnO∶Al透明导电薄膜。研究Al掺杂和溅射功率对薄膜生长取向、微观结构和电阻率的影响。研究表明:不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度c-轴择优取向生长;在1%~3%(质量分数)的掺杂范围内,薄膜的电阻率随掺杂量的增加而减小,掺杂的质量分数超过3%后,薄膜的电阻率又有所增大。溅射功率通过改变晶粒尺寸和晶界所产生的散射作用而影响薄膜的导电性能,溅射功率低于100 W时,薄膜的电阻率随功率增加而明显降低,但超过100 W后,薄膜的电阻率下降趋缓,并最终趋于平稳。在Al掺杂的质量分数为3%、溅射功率为100 W的条件下,可获得2.3×10-3Ω.cm的最低电阻率。

【基金】 广西高校百名中青年学科带头人资助计划项目(RC20060809014)
【所属期刊栏目】 试验研究 (2010年02期)
  • 【DOI】10.14024/j.cnki.1004-244x.2010.02.024
  • 【分类号】O484.1
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】263
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