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离子注入对高质量4H-SiC外延片ESR谱的影响

程萍1郝建民2

1. 宁波大红鹰学院2. 中电集团第46研究所

摘要:利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-Si C外延片中本征缺陷ESR谱的影响。结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本征缺陷种类发生变化;Si+注入使样品中本征缺陷浓度降低约61%,而C+注入使本征缺陷浓度降低达63%以上。
  • DOI:

    10.14024/j.cnki.1004-244x.20151029.007

  • 专辑:

    理工B(化学化工冶金环境矿业); 理工C(机电航空交通水利建筑能源); 电子技术及信息科学

  • 专题:

    无线电电子学

  • 分类号:

    TN305.3

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