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β-SiC(001)晶面小分子吸附的第一性原理研究

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【作者】 程萍李永平屈卫清

【Author】 CHENG Ping;LI Yongping;QU Weiqing;Ningbo Dahongying University;

【机构】 宁波大红鹰学院

【摘要】 采用平面波展开和第一原理赝势法对理想β-SiC(001)Si面晶体及可能吸附的H2、N2、O2、CO小分子的超晶胞进行计算。结果发现:当模拟条件为0 K且忽略原子驰豫时,以替位式吸附占据晶格位置时,除N2外,其他小分子均可吸附在β-SiC(001)的Si表面,且随吸附位置的改变,小分子键长均会发生改变,其中O2形变最大;从吸附能量角度来看,O2在β-SiC(001)Si表面的吸附能力最强,其次是H2,最后是CO。

【关键词】 β-SiC表面吸附分子模型
【基金】 浙江省青年基金(LQ14F040004);浙江省教育厅科研项目(Y201533234;Y201432724);宁波市科技局计划项目(2015C10050;2016C10056)
【所属期刊栏目】 试验研究 (2017年03期)
  • 【DOI】10.14024/j.cnki.1004-244x.20170427.002
  • 【分类号】TN304.24
  • 【下载频次】85
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