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半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量研究

齐芸馨姜春香

电子工业部第四十六研究所

摘要:研究了50.8mm液封直拉非掺杂半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的显微特征,率先提出了一种定量表征微缺陷的新方法,揭示了AB微缺陷在单晶各部位的分布规律。
  • 专辑:

    理工B(化学化工冶金环境矿业); 理工C(机电航空交通水利建筑能源)

  • 专题:

    化学; 无机化工

  • 分类号:

    O614.371

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