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Fe/SiC界面反应机理及界面优化工艺研究的进展

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【作者】 汤文明郑治祥丁厚福金志浩

【机构】 合肥工业大学西安交通大学

【摘要】 就Fe/SiC间的界面反应过程和界面优化工艺作了综述。800℃以上,Fe/SiC发生强烈的界面固相反应,生成复杂的铁硅化物和石墨,界面结合性能显著降低。Fe原子通过产物层的固相扩散过程可能是该界面反应的速率控制步骤。SiC表面化学镀Ni、氧化处理及PIRAC工艺等表面涂覆工艺和基体合金化有利于抑制界面反应,优化界面结构,实现Fe/SiC的良好复合

  • 【分类号】TG148
  • 【被引频次】17
  • 【下载频次】312
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