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Zr掺杂对CeO2(111)表面空位形成及电子结构的影响

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【作者】 贾慧灵邹春阳吴锦绣李梅

【Author】 JIA Huiling;ZOU Chunyang;WU Jinxiu;LI Mei;Mechanical Engineering School,Inner Mongolia University of Science and Technology;Materials and Metallury School,Inner Mongolia University of Sciences and Technology;

【通讯作者】 邹春阳;

【机构】 内蒙古科技大学机械工程学院内蒙古科技大学材料与冶金学院

【摘要】 利用VASP软件,采用第一性原理的DFT+U方法计算了Zr掺杂前后CeO2(111)表面结构、氧空位形成能以及电子结构的变化.研究表明:Zr掺杂中心附近,表层Ce,O原子发生较大弛豫,Zr的掺杂明显降低了CeO2(111)表面的氧空位形成能,表明对其态密度无明显的影响. Zr掺杂前后的还原体系态密度图均在靠近费密能级左侧出现1个间隙态,表明有Ce4+被还原为Ce3+.

【关键词】 Zr掺杂氧空位电子结构态密度
【基金】 内蒙古自治区自然科学基金资助项目(2018MS02016)
  • 【DOI】10.16559/j.cnki.2095-2295.2019.02.003
  • 【分类号】TQ133.3
  • 【下载频次】40
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