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影响PV型碲锌汞红外探测器响应性能的主要因素分析

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【作者】 赖莉萍邓慧张蓉竹

【Author】 LAI Liping;DENG Hui;ZHANG Rongzhu;School of Electronic Engineering,Chengdu Technological University;School of Electronic Information,Sichuan University;

【机构】 成都工业学院电子工程学院四川大学电子信息学院

【摘要】 利用材料内部的光生电动势数学分析模型,计算分析了激光辐射下影响PV型Hg1-xZnxTe红外探测器响应性能的主要因素:辐射源、温度及探测单元感光面积。结果表明:探测器的输出电压随着辐射源波长的增加而增加,但其完全饱和电压不变;不同组分的探测器,Hg0.85Zn0.15Te探测器输出响应小于Hg0.68Zn0.32Te探测器;温度越高探测器的输出电压越小,完全饱和电压也越小;感光面积减小输出电压增大,但完全饱和电压不受影响。

【关键词】 红外探测器Hg1-xZnxTe响应特性辐射源
【基金】 成都工业学院青年基金项目(2018ZR006)
【所属期刊栏目】 工程与技术 (2019年03期)
  • 【DOI】10.13542/j.cnki.51-1747/tn.2019.03.005
  • 【分类号】TN215
  • 【下载频次】7
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