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AgBiS2/Bi2S3分子印迹光电化学传感器用于测定残杀威

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【作者】 石小雪李秀琪魏小平李建平

【Author】 SHI Xiao-Xue;LI Xiu-Qi;WEI Xiao-Ping;LI Jian-Ping;Guangxi Key Laboratory of Electrochemical and Magnetochemacal Function Materials,College of Chemical and Bioengineering, Guilin University of Technology;

【通讯作者】 魏小平;李建平;

【机构】 桂林理工大学化学与生物工程学院广西电磁化学功能物质重点实验室

【摘要】 构建了一种基于AgBiS2/Bi2S3的分子印迹光电化学传感器,用于杀虫剂残杀威的检测。采用溶剂热法,在钛片基底上合成AgBiS2/Bi2S3复合材料。以残杀威为模板分子,邻苯二胺为功能单体,通过电聚合在修饰AgBiS2/Bi2S3复合材料的钛片上电沉积形成分子印迹聚合物膜,可对残杀威产生特异性识别。残杀威与印迹孔穴特异性结合后,阻碍电子供体穿过孔穴到达电极表面,导致光电流降低,据此进行残杀威的检测。残杀威浓度的对数值与光电流在1.0×10-12~5.0×10-10 mol/L范围内呈线性关系,检出限为2.3×10-13 mol/L。将此传感器用于水果等实际样品中残杀威残留的检测,加标回收率介于101.0%~103.1%之间。

【基金】 国家自然科学基金项目(No.21765006);广西自然科学基金项目(Nos.2015GXNSFFA139005,2018GXNSFAA138145);广西岩溶地区水污染控制与用水安全保障协同创新中心项目资助~~
【所属期刊栏目】 研究报告 (2020年03期)
  • 【DOI】10.19756/j.issn.0253-3820.191608
  • 【分类号】O657.1;TS255.7
  • 【下载频次】151
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