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第三代半导体Ⅲ族氮化物的物理与工程——从基础物理到产业发展的典范

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【作者】 荣新李顺峰葛惟昆

【Author】 RONG Xin;LI Shunfeng;GE Weikun;Research Center for Wide Gap Semiconductor,Peking University;Dongguan Institute of Opto-electronics,Peking University;

【机构】 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院东莞光电研究院

【摘要】 以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物属于宽禁带半导体,即通常所谓"第三代"半导体材料。作为Si、Ge以及传统Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体之后的新一代半导体材料,GaN具有更大的禁带宽度、更高的击穿电场、更稳定的物理化学性质等优异特性,已经成为半导体研究极为重要的领域和国家重大研究方向。尽管Ⅲ族氮化物的晶体质量与传统半导体材料相比仍然有很大差距,但并不妨碍Ⅲ族氮化物及其量子结构在光电器件及电子器件中的广泛应用,围绕GaN及其他相关氮化物半导体的研究和开发,在物理与工程方面都具有极为特殊的意义,是基础物理研究和产业化应用结合的典范。

【基金】 国家自然科学基金项目(批准号:61376060,61674010,61704003);广东省科技计划项目(批准号:2014B090905002,2014A050503005);东莞市国际合作项目(批准号:2013508102006)
【所属期刊栏目】 新工科建设 (2017年06期)
  • 【分类号】TN304.23
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】456
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