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Al-S共掺杂SnO2电子结构的第一性原理研究

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【作者】 于淼

【Author】 YU Miao;School of Physics and Electronic Engineering, Mudanjiang Normal University;

【机构】 牡丹江师范学院物理与电子工程学院

【摘要】 本文采用第一性原理方法,研究了Al-S、Al-2S共掺SnO2的能带结构、态密度以及Mulliken布局。研究结果表明,Al-S共掺时,态密度向低能区方向移动,费米面附近出现深杂质能级,起复合中心的作用,主要由S的3p态贡献;Al-2S共掺时,态密度向低能方向移动程度更高,费米能级附近形成浅施主能级,能级距离导带底更近,S的3p态贡献更大。Al-S共掺会打破SnO2电子平衡状态,导致电荷密度重新分布。

【关键词】 SnO2Al-S共掺杂能带结构态密度
【所属期刊栏目】 新型功能材料 (2020年06期)
  • 【DOI】10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2020.06.044
  • 【分类号】O469
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