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四象限InGaAs APD探测器的研究

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【作者】 王致远李发明刘方楠

【Author】 Wang Zhiyuan,Li Faming,Liu Fangnan(College of Optoelectronic Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,China)

【机构】 重庆邮电大学光电工程学院重庆邮电大学光电工程学院 重庆400065重庆400065

【摘要】 文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。

  • 【DOI】10.13756/j.gtxyj.2007.06.001
  • 【分类号】TN36
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】380
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