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硅基光功率监测技术的最新进展

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【作者】 卫欢余辉邵海峰李霞李燕姜建飞秦晨叶乔波江晓清

【Author】 Wei Huan;Yu Hui;Shao Haifeng;Li Xia;Li Yan;Jiang Jianfei;Qin Chen;Ye Qiaobo;Jiang Xiaoqing;College of Information Science & Electronic Engineering,Zhejiang University;

【机构】 浙江大学信息电子与工程学院

【摘要】 随着集成光路复杂度的增加,需要在不影响系统正常工作的情况下,在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测,有效地进行器件行为分析。文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展。重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及缺陷态吸收机制下的光功率监测方案以及各自的优缺点,最后详细讨论了利用缺陷态吸收机制实现光电转换的巨大优势。

【基金】 国家“九七三”计划资助项目(2013CB632105);国家自然科学基金资助项目(61177055,61307074);浙江省杰出青年科学基金资助项目(LR15F050002);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
【所属期刊栏目】 硅光子与硅基光电子专题 (2015年06期)
  • 【DOI】10.13756/j.gtxyj.2015.06.005
  • 【分类号】TN256;TM933.3
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】80
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