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硅纳米结构提高发光器件辐射强度研究

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【作者】 黄浩逸侯二林

【Author】 HUANG Hao-yi;HOU Er-lin;Key Lab of Advanced Transducer and Intelligent Control System, Ministry of Education and Shanxi Province, Taiyuan University of Technology;

【机构】 太原理工大学新型传感器与智能控制教育部/山西省重点实验室

【摘要】 半导体硅纳米粒子具有许多新奇的电磁特性,成为了近年光电子学的研究热点。为了提高量子点(QD)光致发光器件的发光强度,文章提出了一种由两个尺寸不同的硅纳米正方体组成的二聚体结构。通过时域有限差分(FDTD)法,分别从荧光激发率增强和量子产率增强两个方面研究了硅纳米二聚体对QD发光的增强作用。研究结果表明,不同尺寸的硅纳米正方体复合二聚体可以对硒化镉(CdSe)QD的发光产生增强作用;并且当两个硅纳米正方体的边长和间隔逐渐变小时,QD的荧光激发率增强倍数和量子产率提高倍数都呈现出逐渐增大的趋势。特别地,当两个硅纳米正方体的边长都是100 nm、间隔为20 nm时,硅纳米二聚体结构可达最优,且CdSe QD的荧光强度可得到约24倍的增强。

【基金】 国家自然科学基金资助项目(61671316)
【所属期刊栏目】 光电器件研究与应用 (2019年06期)
  • 【DOI】10.13756/j.gtxyj.2019.06.007
  • 【分类号】TN383.1
  • 【下载频次】25
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