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摘要:为了得到简单、准确且移植性强的铁电存储器1T单元ID-VG(电流转移特性)模型,通过引入漏极电压影响因子、阈值电压和极化饱和程度等因素,从理论上得到了和MOSFET电流模型结构一致的铁电存储器1T单元的ID-VG特性模型。与测试数据进行对比,验证了该模型的正确性。
  • DOI:

    10.16375/j.cnki.cn45-1395/t.2008.01.017

  • 专辑:

    理工C(机电航空交通水利建筑能源); 电子技术及信息科学

  • 专题:

    计算机硬件技术

  • 分类号:

    TP333

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