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金属有机化学气相沉积法制备Al掺杂ZnO透明导电膜

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【作者】 谢春燕张跃

【Author】 XIE Chunyan,ZHANG Yue (Key Laboratory of Aerospace Materials and Performance of Ministry of Education,School of Materials Science and Engineering,Beihang University,Beijing 100191,China)

【机构】 北京航空航天大学材料学院,空天材料与服役教育部重点实验室

【摘要】 采用自行开发的金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)法,以乙酰丙酮锌和乙酰丙酮铝分别为锌源和铝源,以氮气为载气,在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(Al-doped ZnO,ZAO)薄膜。通过改造MOCVD设备提高制备薄膜的稳定性和均匀性,研究了基片温度、载气流量、水蒸气等沉积条件对薄膜结构,沉积速率及其光、电性能的影响。用扫描电子显微镜、X射线衍射、紫外-可见分光光度计和四探针双电测电阻仪分别观察薄膜形貌结构,并测试其光、电性能。结果表明:薄膜为均匀、致密的纳米多晶薄膜,具有六角纤锌矿结构,且呈c轴择优取向生长;薄膜的(002)衍射峰与纯ZnO相比向低角度方向偏移,表明Al进入了ZnO晶格,并导致晶格膨胀;薄膜的紫外-可见光谱透过率在85%以上;电阻率最小可达10-4??cm。

【所属期刊栏目】 研究论文 (2010年01期)
  • 【DOI】10.14062/j.issn.0454-5648.2010.01.005
  • 【分类号】O614.241
  • 【被引频次】20
  • 【下载频次】610
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