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超导体Li2Pd3B的高压合成

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【作者】 梁霞

【Author】 LIANG Xia (University of Science and Technology Beijing 100083 China)

【机构】 北京科技大学物理系 中国北京100083

【摘要】 利用高温高压的方法成功合成出块状Li2Pd3B超导体。由于高压能抑制Li的挥发,所获得样品具有比较好的单相性。使用超导量子干涉仪(SQUID)和标准的四引线法分别对样品的磁性和电性进行了测量,我们发现高压下得到的样品和常压下的样品具有相同的转变温度Tc(8K)和上临界场Hc2(0)(4.26T)。根据Bean模型计算出在5K时,在其自身磁场下块状样品的临界电流密度达到2.9×103A/cm2。实验结果表明高温高压合成是制备和研究Li2Pd3B新型金属间化合物超导体的一种非常有效的手段。

【关键词】 Li2Pd3B高温高压合成超导体
【所属期刊栏目】 科教视野 (2007年07期)
  • 【分类号】O511.3
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】120
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