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B_mN_n、B_mN_n~-和B_mN_n~+电子特性的研究

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【作者】 林家勇

【机构】 广东工业大学华立学院机电工程学院

【摘要】 本文采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G(d)相同水平上计算了BmNn(m+n╬5)的绝热电子亲和势,BmNn-的垂直电离势,BmNn+的绝热电离势和垂直电离势。结果表明:BN、B2N、BN3、B3N2和BN4失电子能力较弱,B2N2-失电子能力最强,BN4-失电子能力最弱,BN2-和B2N-、BN-和B3N-的垂直电离能力相同。

【所属期刊栏目】 高校理科研究 (2009年22期)
  • 【分类号】O641.1
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