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一种带隙基准源设计研究

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【作者】 刘志国戴澜

【Author】 LIU Zhi-guo1 DAI Lan2(1.Beijing Hangxing Machinery Manufacturing Corporation,Beijing,100013,China; 2.College of Information Engineering,North China University of China,Beijing,100144,China)

【机构】 北京航星机器制造公司北方工业大学信息学院微电子系

【摘要】 带隙基准源在各种芯片中应用广泛,很多电子系能的性能直接受基准源的影响。论文提出一种采用电阻修整的带隙基准源的设计方法,通过修整来调节基准源由于受工艺等因素影响而产生的偏差,仿真结果表明,在-50℃到130℃的温度范围,基准源的电压偏差为2mV。

【关键词】 带隙基准温度系数电源抑制比
【所属期刊栏目】 机械与电子 (2012年01期)
  • 【分类号】TN432
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】83
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