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纳米尺度Au/Pt负载对玫瑰花状NiO纳米颗粒气敏性能的影响

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【作者】 张春林张勇

【通讯作者】 张勇;

【机构】 兰州交通大学数理学院兰州大学学报编辑部

【摘要】 <正>氧化镍(NiO)晶体暴露在空气中时会因表面氧过剩而电离产生空穴,导致整体呈现p型半导体的特征,因此也被认为是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.6~4.2 eV,具有良好的气敏和热敏特性,属于表面控制电阻型气敏材料[1].

【基金】 国家自然科学基金项目(11464027);兰州交通大学2018年本科教学改革项目(JGY201836)
【所属期刊栏目】 研究简报 (2019年04期)
  • 【DOI】10.13885/j.issn.0455-2059.2019.04.020
  • 【分类号】TN304
  • 【下载频次】6
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