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SiC MOSFET与Si MOSFET在开关电源中功率损耗的对比分析

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【作者】 曹洪奎陈之勃孟丽囡

【Author】 CAO Hong-kui;CHEN Zhi-bo;MENG Li-nan;Electronics & Information Engineering College,Liaoning University of Technology;

【机构】 辽宁工业大学电子与信息工程学院

【摘要】 碳化硅(SiC)MOSFET是一种新型高压功率开关器件,具有导通电阻低、开关速度极快的特点。本文分析了功率MOSFET在开关电源中的功率损耗,以1 200 V/24 A的SiC MOSFET和硅(Si)MOSFET在相同的测试条件下进行了功率损耗的对比测试。实验结果表明,在相同的驱动条件和负载条件下,SiC MOSFET的开关速度明显快于Si MOSFET,同时功率损耗明显降低,即使直接采用SiC MOSFET替代Si MOSFET也会使得开关电源的效率明显提升。

  • 【DOI】10.15916/j.issn1674-3261.2014.02.016
  • 【分类号】TN386.1
  • 【被引频次】28
  • 【下载频次】932
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