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基于密度泛函理论的NiAs型MnTe第一原理计算

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【作者】 张思封文江朱影尹小荷郭帅帅何江海徐雅辉孟萍萍

【Author】 ZHANG Si;FENG Wenjiang;ZHU Ying;YIN Xiaohe;GUO Shuaishuai;HE Jianghai;XU Yahui;MENG Pingping;College of Physics Science and Technology,Shenyang Normal University;

【机构】 沈阳师范大学物理科学与技术学院

【摘要】 运用MaterialsStudio 6.0程序CASTEP软件包建立NiAs型MnTe单胞和1×1×10的超胞模型,采用GGA-PBE-TS近似,得出能带结构和态密度曲线。NiAs型MnTe为间接能隙窄带半导体,带隙为0.843eV;MnTe单胞的下价带在-12.5~-10.5eV,是一条二重简并带。在-6~-3.5eV和0.8~2.6eV主要由Mn原子的d态电子贡献,该Mn原子的d电子的有效质量较大,导致强的电子局域性;MnTe1×1×10超胞的帯隙为0.623eV,下价带位于-13~-11eV,对比单胞略微下移;在上价带和导带区域,MnTe超胞d态电子的能带和态密度都比MnTe单胞的变化平稳,整体形成较宽的赝能隙,说明Mn离子的共价性较强。

【关键词】 NiAs型MnTe能带结构态密度
【基金】 辽宁省科学技术计划项目(2010220012);辽宁省教育厅高等学校优秀人才资助项目(LJQ2011117);沈阳师范大学实验中心重点项目(SYZX1003)
【所属期刊栏目】 材料科学 (2014年01期)
  • 【分类号】O469
  • 【下载频次】136
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