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利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构

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【作者】 郑晓思符斯列

【Author】 ZHENG Xiao-si;FU Si-lie;School of Physics and Telecommunication Engineering,South China Normal University;

【通讯作者】 符斯列;

【机构】 华南师范大学物理与电信工程学院

【摘要】 利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00nm,阱层的平均杂质浓度为7.12×1018 cm-3,GaN垒层的平均垒宽为12.32nm,垒层的平均杂质浓度为0.82×1018 cm-3.温度降低,InGaN阱宽变窄,杂质浓度增大,而GaN垒宽变宽,杂质浓度降低.

【关键词】 C-V测量法GaN基蓝光LED多量子阱
【基金】 国家自然科学基金资助(No.10575039);广东省自然科学基金资助(No.S2013010012548);广东省高校特色创新项目资助(No.2018KTSCX121)
【所属期刊栏目】 近代与综合实验 (2020年05期)
  • 【DOI】10.19655/j.cnki.1005-4642.2020.05.001
  • 【分类号】TN312.8
  • 【下载频次】43
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